Тестер полупроводниковых элементов

В этой статье представлено устройство — тестер полупроводниковых элементов. Прототипом этого устройства послужила статья размещенная на одном из немецких сайтов. Тестер с высокой точностью определяет номера и типы выводов транзистора, тиристора, диода и др. Будет очень полезен начинающему радиолюбителю.

Типы тестируемых элементов

(имя элемента — индикация на дисплее):
— NPN транзисторы — на дисплее «NPN»
— PNP транзисторы — на дисплее «PNP»
— N-канальные-обогащенные MOSFET — на дисплее «N-E-MOS»
— P-канальные-обогащенные MOSFET — на дисплее «P-E-MOS»
— N-канальные-обедненные MOSFET — на дисплее «N-D-MOS»
— P-канальные-обедненные MOSFET — на дисплее «P-D-MOS»
— N-канальные JFET — на дисплее «N-JFET»
— P-канальные JFET — на дисплее «P-JFET»
— Тиристоры — на дисплее «Tyrystor»
— Симисторы — на дисплее «Triak»
— Диоды — на дисплее «Diode»
— Двухкатодные сборки диодов — на дисплее «Double diode CK»
— Двуханодные сборки диодов — на дисплее «Double diode CA»
— Два последовательно соединенных диода — на дисплее «2 diode series»
— Диоды симметричные — на дисплее «Diode symmetric»
— Резисторы — диапазон от 0,5 К до 500К [K]
— Конденсаторы — диапазон от 0,2nF до 1000uF [nF, uF]
При измерении сопротивления или емкости устройство не дает высокой точности
Описание дополнительных параметров измерения:
— H21e (коэффициент усиления по току) — диапазон до 10000
— (1-2-3) — порядок подключенных выводов элемента
— Наличие элементов защиты — диода — «Символ диода»
— Прямое напряжение – Uf [mV]

- Напряжение открытия (для MOSFET) — Vt [mV]
- Емкость затвора (для MOSFET) — C= [nF]

Схема устройства:

Схема устройства без транзисторов:

Программирование микроконтроллера

  Если вы используйте программу AVRStudio достаточно в настройках fuse-битов записать 2 конфигурационных бита: lfuse = 0xc1 и hfuse = 0xd9. Если Вы используйте другие программы настройте fuse-биты в соответствие с рисунком. В архиве находятся прошивка микроконтроллера и прошивка EEPROM, а также макет печатной платы.

Fuse-биты mega8

Процесс измерения достаточно прост: подключите тестируемый элемент к разъему (1,2,3) и нажмите кнопку «Тест». Тестер покажет измеренные показания и через 10 сек. перейдет в режим ожидания, это сделано для экономии заряда батареи. Батарея используется напряжением 9V типа «Крона».

Тестирование симистора


Тестирование диода

Тестирование светодиода

Тестирование сдвоенного диода


Тестирование MOSFET


Тестирование транзистора NPN

Тестирование транзистора PNP

Скачать прошивку и печатку

Скачать русскую прошивку (все надписи на дисплее русс.яз.)

Скачать печатку (TQFP корпус ATMEGA8, SMD 1206) от Элвин

P.S. от Элвин :

На плате разъём питания, енка большая, кнопка и светодиод, добавлен регулятор яркости индикатора вместо резистора. перемычки в отверстия со стороны деталей и 3 штуки поверх дорожек. Программатор подключал-подпаивал провода к указанным точкам, сильно не пинайте уж как получилось , но зато работает!

фото готового устройства от bidavova 

2 комментариев

  1. Исправте ошибку в схеме и в печатке- 20 ногу с катушкой на +5V , а не на GND !

  2. Доброго времени суток!Плата от Элвина 19 или 20 ногу микросхемы надо садить на корпус через кондер а то не срастухи идут работать по элвину будет .Задается вопрос она у элвина работает и прошива подходит вопрос вопросов